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報道稱，該原型設備今年初在深圳一個實驗室完成，目前仍處於測試階段，體積幾乎佔滿整個工廠樓層。極紫外光刻技術可在矽片上蝕刻更細密的電路，大幅提升晶片效能與能源效率，是生產高階晶片不可或缺的核心設備，過去長期由西方供應商主導。
知情人士透露，該項目由一支曾任職於荷蘭晶片設備商ASML的工程師團隊主導，透過逆向工程方式研發而成。相關計劃被形容為「中國的曼哈頓計劃」，反映官方希望在關鍵晶片設備上實現技術突破，縮小與西方的差距。
目前該原型機已能成功產生極紫外光，但尚未製造出可實際使用的晶片。中國政府目標是在2028年前實現原型機晶片生產，部分專家則估計，全面量產可能要到2030年，進度仍較外界原先預期明顯提前
